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赋能新能源产业的高效能半导体核心
核心技术优势（对比传统硅基器件）碳化硅（SiC）功率器件在耐高温、耐高压、低损耗等核心性能上，全面超越传统硅基IGBT器件。根据中国半导体行业协会2025年Q3功率半导体报告，SiC MOSFET的击穿电压可达2000V以上，是同规格硅基IGBT（1200V）的1.7倍；其开关损耗仅为硅基I…
2025-08-16 -
突破极端环境限制的感知核心
核心技术优势（对比传统传感方案）非制冷红外热成像传感器在低温、浓烟、黑夜等极端视觉受限环境下，具备传统可见光摄像头、激光雷达无法比拟的感知优势。根据中国光学光电子行业协会2025年Q3报告，主流非制冷红外传感器的探测波长范围覆盖8~14 μm（中长波红外），可捕捉…
2025-08-16 -
支撑算力网络与5.5G通信的核心传输元件
核心技术优势（对比传统传输方案）高速光模块在数据传输速率、带宽密度与能耗效率上，全面超越传统电传输方案及低速率光模块。根据中国通信标准化协会2025年Q3报告，800Gbps相干光模块的单通道传输速率达100Gbps，是400G光模块（50Gbps/通道）的2倍，且传输带宽密度提升至…
2025-04-16 -
赋能新能源汽车与工业储能的功率核心
核心技术优势（对比传统电容方案）高性能多层陶瓷电容器（MLCC）在耐压值、容量密度与高频特性上，显著优于铝电解电容、钽电容等传统方案。根据中国电子元件行业协会2025年Q3报告，车规级高容MLCC的容量密度可达500 μF/cm，是传统铝电解电容（50 μF/cm）的10倍，体积却…
2025-04-16 -
重构智能终端声学感知的核心元件
核心技术优势（对比传统麦克风方案）MEMS（微机电系统）麦克风在小型化、抗干扰性、一致性及集成度上，全面超越传统驻极体麦克风（ECM）。根据中国电子元件行业协会2025年Q3声学元件报告，车规级MEMS麦克风的体积可缩小至1.0mm1.5mm0.5mm，较同性能ECM（3.5mm4.0mm1.2mm）…
2024-12-16 -
重构显示技术的色彩与寿命边界
核心技术优势（对比传统显示方案） 量子点发光二极管（QLED）在色彩表现、寿命与功耗上显著超越传统LCD和OLED显示技术。根据DSCC 2025年显示技术报告，QLED的色域覆盖率达到115% DCI-P3标准，较LCD（72% DCI-P3）提升60%，可精准还原自然界98%的可见色彩；其峰值亮度达2…
2024-12-16
